江孝武 雷鹰 高文圣 李雨 谷峻 郑睿
. 2020, 27(6): 0-0.
采用微波加热法快速合成结合放电等离子烧结技术制备Se/Te掺杂方钴矿热电材料,对其微观结构、物相组成、电性能、热性能等表征分析。XRD衍射分析表明,微波辐射时间5min可以合成高纯度的CoSb3化合物;SEM微观结构分析表明,样品晶粒尺寸均在8-10μm范围内,且尺寸分布较均匀;电性能分析表明,掺杂样品为n型半导体,Te掺杂样品电导率高于Se掺杂和Se, Te双掺杂样品,Co4Sb11.9Te0.1在548K获得最高功率因子3001.3 μW/K2*m;热性能分析表明,晶格热导率对总热导率起主要贡献,Se, Te双掺杂样品晶格热导率小于Se掺杂和Te掺杂样品;CoSb11.8Te0.1Se0.1在室温至773K之间的晶格热导率为2.7~3.8 Wm-1K-1。由于Te掺杂样品综合电性能远高于Se, Te双掺杂样品,因此Co4Sb11.9Te0.1在673K获得最高热电优值0.45。