2016年, 第23卷, 第4期　
刊出日期：2016-08-20

  

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  形状记忆合金增强金属基复合材料的研究进展

  杨素媛， 杨胜男， 沈娟， 郭丹

  . 2016, 23(4): 1-9. https://doi.org/10.13228/j.boyuan.issn1005-8192.2016026

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  形状记忆合金因其独特的应力自适应特性，在多功能和机敏复合材料领域被广泛应用。对TiNi形状记忆合金增强金属基复合材料的研究进展进行了概括总结，着重介绍了形状记忆合金增强金属基复合材料的制备方法、增强机理、性能及其约束态下记忆合金相变等方面的研究现状，并对其发展前景进行了展望。
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  铁基非晶薄带回线偏移行为研究

  张守华， 程星华 刘涛 何峻 周磊 喻晓军 李波

  . 2016, 23(4): 10-16. https://doi.org/10.13228/j.boyuan.issn1005-8192.2016029

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  Fe65Co15Si5B15非晶薄带经双偏圆形磁场处理后，磁滞回线呈不对称特性，这种特性可以在室温下获得。通过XRD、DSC和SPM等测试手段研究了热磁处理过程中薄带微结构的变化，这种具有回线偏移行为的铁基非晶薄带基体上有磁性较硬的微晶相产生。这种特定的热磁操作对薄带内磁畴配置有明显的影响，它也是导致Fe65Co15Si5B15非晶薄带磁滞回线发生偏移的主要因素之一。所采用的热磁处理办法可使铁基非晶薄带磁滞回线发生有效、可靠和明显的偏移行为。
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  ［CrAlSiN/Si3N4］n多层膜的性能和抗氧化行为的研究

  王来森 刘小龙 张魁 彭栋梁

  . 2016, 23(4): 17-23. https://doi.org/10.13228/j.boyuan.issn1005-8192.2016027

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  采用反应溅射的方法制备了一系列不同CrAlSiN层厚度的［(CrAlSiN)d/(Si3N4)0.33nm］n多层膜，并系统研究了CrAlSiN层厚度对其结构、形貌、力学性能和抗氧化行为的影响。研究表明，当CrAlSiN层厚度为3.2 nm时，［(CrAlSiN)d/(Si3N4)0.33nm］n纳米多层膜具有最优异的力学性能，此时硬度高达34 GPa。随后在空气气氛下用高温管式炉对［(CrAlSiN)d/(Si3N4)0.33nm］n多层膜进行氧化实验，氧化温度为700、800、900 ℃，保温时间2 h。实验结果表明，800 ℃氧化处理后，多层膜仍能保持28.5 GPa的硬度值，显示出优秀的抗氧化能力。
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  TiO2薄膜光催化剂性能的研究

  刘春荣， 郭茂文， 郑雪萍， 刘胜林

  . 2016, 23(4): 24-28. https://doi.org/10.13228/j.boyuan.issn1005-8192.2016022

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  在空气环境下，通过浸涂的方法在普通玻璃基片(50 mm×2 mm×2 mm)上采用溶胶-凝胶法制备了TiO2薄膜。通过XRD分析了TiO2薄膜处理温度对其结晶程度的影响。结果表明，增加热处理温度可以增加结晶的程度，甚至还会导致锐钛矿型向金红石型的晶相?洹４送猓琓iO2薄膜光催化性能的研究显示，TiO2薄膜的层数对其光催化性能具有明显的影响。增加薄膜的层数，TiO2薄膜对甲基橙的分解速率呈现出了一个逐步增加的趋势。当薄膜的层数达到4层和5层时，甲基橙的分解速率比较接近。然而不同的是，随着Ce或La的加入量的增加，掺杂Ce或La的TiO2薄膜对甲基橙的分解速率则呈现出了一个先增加后减小的趋势。
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  CoB/La2O3对NaBH4水解放氢性能的影响

  刘超， 刘春荣， 郭茂文， 郑雪萍， 赵喜洋， 刘胜林

  . 2016, 23(4): 29-34. https://doi.org/10.13228/j.boyuan.issn1005-8192.2016034

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  实验通过排水法研究了混合催化CoB/La2O3对NaBH4水解放氢性能的影响。结果显示，混合催化剂的加入量在1%~4%的变化区间时，掺杂混合催化剂的试样的放氢速率随着掺杂量的增加都呈现出了一个明显的增加趋势，并且掺杂4%(70%CoB/30%La2O3)的试样的放氢速率最大为260 mL/min；然而对于放氢量的研究发现混合催化剂CoB/ La2O3加入量以及配比影响NaBH4的放氢量，在所有试样中，当掺杂量为4%的掺杂80% CoB和20%La2O3的试样放氢量最大为575 mL，但此时试样放氢速率有所降低。
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  不同基底温度FeNiCoCrMn高熵合金薄膜的制备及耐腐蚀性能的研究

  石彦彦， 罗永春 ， 张国庆

  . 2016, 23(4): 35-39. https://doi.org/10.13228/j.boyuan.issn1005-8192.2016025

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  用射频磁控溅射的方法分别在单晶 Si（100）和304不锈钢基底上制备了FeNiCoCrMn高熵合金薄膜，利用EPMA、XRD、SEM和动电位极化测试，确定薄膜的成分并探讨不同基底温度下沉积的薄膜的相结构、膜厚、形貌以及耐腐蚀性能规律。研究表明：高熵合金薄膜的成分与高熵合金靶材的成分一致，组成元素接近等摩尔比，且薄膜成分均匀；基底温度为100、200、300 ℃沉积的薄膜为非晶结构，基底温度为400 、500 ℃沉积的薄膜为晶体结构；随着基底温度的升高，薄膜的厚度变薄，薄膜表面颗粒越来越大，横截面柱状组织越来越明显；由动电位极化测试的结果得出不同衬底温度沉积的高熵合金薄膜在1 mol/L H2SO4溶液中的耐腐蚀性都优于304不锈钢，且随着衬底温度的升高，薄膜的耐腐蚀性能降低, 其中100 ℃沉积的薄膜的耐腐蚀性能最优。
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  正庚烷辅助高能球磨引起的GdCo5合金的歧化、脱氢及再结合反应

  冯雪原 耿红民 郜宇超 杜晓波， 闫羽， 王文全， 苏峰

  . 2016, 23(4): 40-43. https://doi.org/10.13228/j.boyuan.issn1005-8192.2016032

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  报导了一种由正庚烷辅助高能球磨引起GdCo5合金的歧化，以及随后的脱氢和再化合反应。在正庚烷中球磨400 min，部分GdCo5相发生歧化反应，生成Gd的氢化物GdH2+δ和单质Co。随后在真空中加热到800 ℃，GdH2+δ脱去H原子与Co重新化合生Gd2Co17。Gd2Co17是面各向异性，但最终产物中还有未歧化的GdCo5相，样品具有460 kA/m的矫顽力。球磨更长时间（600、800、1 000 min）以上，GdCo5合金的完全歧化，脱氢后的产物中除了Gd2Co17又出现了α-Co和GdCoC2相。由于没有了GdCo5相，产物矫顽力几乎为零。H原子和C原子来源于正庚烷的分解。
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  Al2CoCrCu1/2FeMoNiTi高熵合金粉末制备及其性能研究

  温立哲， 黄元盛

  . 2016, 23(4): 44-47. https://doi.org/10.13228/j.boyuan.issn1005-8192.2016019

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  使用高能球磨机械合金化方法，制取Al2CoCrCu1/2FeMoNiTi高熵合金粉末，用X射线衍射仪、扫描电子显微镜、显微硬度计等对合金粉末进行了分析。结果表明，随着机械合金化时间的延长，金属元素高角度衍射峰先消失，接着低角度衍射峰矮化直至消失，最后出现新相的衍射峰。元素的合金化过程与熔点有关，熔点高的铬、镍合金化过程最慢。球磨1 h，粉末结块较严重。球磨时间超过24 h后，粉末颗粒比较均匀，约5 μm。合金熔点在1 350~1 400 ℃范围，最大硬度值为80HV0.025。
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  自蔓延纳米炸药制备及压药参数影响

  李宁一， 陈威， 苏宏艺， 孙炜海

  . 2016, 23(4): 48-52. https://doi.org/10.13228/j.boyuan.issn1005-8192.2016036

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  在压药工艺安全性分析、炸药理论密度计算、传统压药模具改造的基础上，通过均匀粉体制备和压药工艺，制备了自蔓延纳米炸药药柱。分析了工艺参数对压药密度的影响，发现增大压制压力、适当提高加压速度、采取多次加药的压药方法能够提高压药密度。此项研究为制备高密度纳米炸药提供了参考。
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  稀土掺杂ZnVO基压敏陶瓷的研究进展

  姚园林， 李慧琴， 韩晓星

  . 2016, 23(4): 53-59. https://doi.org/10.13228/j.boyuan.issn1005-8192.2016011

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  采用现代材料分析手段，从物相、显微组织相貌以及电性能方面综述了稀土掺杂ZnVO基压敏陶瓷发展现状及第二相和显微组织优化作用方面的研究现状，分析了稀土掺杂对ZnVO基压敏陶瓷生成ReVO4新相对ZnO晶粒的抑制作用及对ZnO晶粒的电性能的改进，展望未来这一领域的发展方向。